产品概述
ADM16F03A
ADM16F03是一款高性能SoC，主频高达150MHz，集成运算加速器、运放、比较器、ADC、PWM控制器及通讯外设、预驱动器和5V LDO；支持多种电机驱动
数据手册 →工业
产品特性
● 单源供电
– 12V～15V
– 集成LDO （内核1.2V，数字IO口5V、模拟3V）
● 高性能16位定点DSP内核
– 主频最高100MHz
– 哈佛(Harvard)总线结构
– 快速中断响应和处理
● 片内存储器资源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32) x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 运算加速单元
– 除法、开方–反正切
– 帕克变换
– 32位乘加及移位
● 17个通用I/O引脚
● 事件管理器EM1
– 4个16位定时/计数器
– 8路PWM输出（PWM1~6构成3组互补，PWM7/8独立）
– 1组正交编码单元
– 3个捕获单元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期内中断产生和ADC采样触发时刻
● 集成三相高、低侧半桥驱动电路
– 六路NMOS Pre-Driver
– 栅极驱动电路高侧最高浮动绝对电压达到45V
– 驱动能力IO+/IO-:+1.2A/-2.0A VDRV=15V,VBS=15V
● ADC
– 12位，转换速率1MSPS
– 16通道，带温度传感器通道
– 通道排序器，可设置ADC采样通道序列
● 运算放大器
– 1个OP，可用于母线电流检测放大
– 3个PGA，可用于相电流检测放大
● 电压比较器
– 3个电压比较器，参考端共用，可用于BEMF比较检测
– 2个电压比较器，带参考电压（DAC产生），可用于保护
● 中断
– 2个外部中断
– 29个由PIE设置的外设中断
● 数字延时滤波
– 3组独立配置延时滤波单元，分别对应外部中断、功率保护和CAP1/2/3
● 串行通讯外设
– SPI、SCI
● 时钟
– 10M片内振荡器
– PLL倍频系数1x~10x
● 支持WDT
● 支持4线制快速程序烧录
● 支持JTAG在线仿真
– 分析和断点功能
– 基于硬件的实时调试
● ESD等级(HBM)：2000V
● MSL湿敏等级：3
● 封装形式
– LQFP48封装
– QFN48封装
– 12V～15V
– 集成LDO （内核1.2V，数字IO口5V、模拟3V）
● 高性能16位定点DSP内核
– 主频最高100MHz
– 哈佛(Harvard)总线结构
– 快速中断响应和处理
● 片内存储器资源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32) x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 运算加速单元
– 除法、开方–反正切
– 帕克变换
– 32位乘加及移位
● 17个通用I/O引脚
● 事件管理器EM1
– 4个16位定时/计数器
– 8路PWM输出（PWM1~6构成3组互补，PWM7/8独立）
– 1组正交编码单元
– 3个捕获单元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期内中断产生和ADC采样触发时刻
● 集成三相高、低侧半桥驱动电路
– 六路NMOS Pre-Driver
– 栅极驱动电路高侧最高浮动绝对电压达到45V
– 驱动能力IO+/IO-:+1.2A/-2.0A VDRV=15V,VBS=15V
● ADC
– 12位，转换速率1MSPS
– 16通道，带温度传感器通道
– 通道排序器，可设置ADC采样通道序列
● 运算放大器
– 1个OP，可用于母线电流检测放大
– 3个PGA，可用于相电流检测放大
● 电压比较器
– 3个电压比较器，参考端共用，可用于BEMF比较检测
– 2个电压比较器，带参考电压（DAC产生），可用于保护
● 中断
– 2个外部中断
– 29个由PIE设置的外设中断
● 数字延时滤波
– 3组独立配置延时滤波单元，分别对应外部中断、功率保护和CAP1/2/3
● 串行通讯外设
– SPI、SCI
● 时钟
– 10M片内振荡器
– PLL倍频系数1x~10x
● 支持WDT
● 支持4线制快速程序烧录
● 支持JTAG在线仿真
– 分析和断点功能
– 基于硬件的实时调试
● ESD等级(HBM)：2000V
● MSL湿敏等级：3
● 封装形式
– LQFP48封装
– QFN48封装
